元件或引线弧度太高
发布时间:2019/5/17 20:35:22 访问次数:2961
按GJB 2438用于统计过程控制的或批键合强度/工艺/机器/操作者评价而多出的引线不包括在本判据内。
从芯片键合点到引线柱键合区之间的引线呈直线状,没有弧度。 引线与引线之间跨接。 H15R1203
元件或引线弧度太高,安装时距封盖不到0.127mm。
引线断开。
基板上的引线过度下垂,下垂距离大于基板键合区边缘到被键合芯片间距离的1挖,或距离组装芯片的导电环氧树脂伸出部分不到0.Ⅱ5mm。
键合点布置使得引线可以从一个键合点贯穿到另一个键合点,公共键合点除外。对于射频/微波器件,除设计要求外,键合点布置应使得引线可以从一个键合点贯穿到另一个键合点,并且间隙至少应是2倍引线直径(公共键合点不包括在本判据内)。
按GJB 2438用于统计过程控制的或批键合强度/工艺/机器/操作者评价而多出的引线不包括在本判据内。
从芯片键合点到引线柱键合区之间的引线呈直线状,没有弧度。 引线与引线之间跨接。 H15R1203
元件或引线弧度太高,安装时距封盖不到0.127mm。
引线断开。
基板上的引线过度下垂,下垂距离大于基板键合区边缘到被键合芯片间距离的1挖,或距离组装芯片的导电环氧树脂伸出部分不到0.Ⅱ5mm。
键合点布置使得引线可以从一个键合点贯穿到另一个键合点,公共键合点除外。对于射频/微波器件,除设计要求外,键合点布置应使得引线可以从一个键合点贯穿到另一个键合点,并且间隙至少应是2倍引线直径(公共键合点不包括在本判据内)。
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