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   理解了栅氧击穿的机理，也就清楚了改进措施。如应注意控制原材料硅中的C、02等微量杂质的含量，在加工工艺中采用各种有效的洁净措施，防止Na+、灰尘微粒等沾污。热氧化时采用二步或三步HCL氧化法：先用高温低速的方式生长，一层厚度约2nm的Si()2，使Si-S102界面平整，然后再正常生长S102层。可以用CVD生长S102或掺氮氧化以改进栅氧质量等。  栅氧易受静电损伤，它的损伤是累积性的，使用中必须采取防护措施.

   当器件工作时，金属互连线的铝条内有一定电流通过，金属离子会沿导体产生质量的运输，其结果会使导体的某些部位产生空洞或晶须（小丘），这即电迁移现象( Electromigration)。在块状金属中，其电流密度较低《l04 Alcm2)，电迁移现象只在接近材料熔点的高温时才发生。薄膜材料则不然，淀积在硅衬底上的铝条，截面积很小，且具有良好的散热条件，电流密度可高达l07 A／cm2，所以在较低温度下就会发生电迁移。

    在微电子器件中，金属互连线大多数采用铝膜。这是因为铝具有一些优点，如电导率 高，能与硅材料彤成低阻值的欧姆接触，与S102层等介质膜具有良好的粘附性和便于加工 等。但使用中也存在一些问题，如硬度软，机械强度低，容易划伤；化学性质活泼，易受 腐蚀；在高电流密度时，抗电迁移能力差。在电路规模不断扩大，器件尺寸进一步缩小 时，互连线中电流密度在上升，铝条中的电迁移现象更为严重，成为VLSI中的一个主要 可靠性问题。