H50326K102

   与上述氧等离子处理方法类似,将三氟甲烷气体GF3H)引人低频能量场产生的等离子,可以在ITO表面发生聚合反应,形成氟取代的碳聚合物薄膜CFt。该薄膜具有高解离能、低电阻率的特性,可以有效地提高ITO的功函数。经CFtH低频等离子处理ITO后再制备oLED器件,表现出较低的驱动电压和较长的器件寿命.S,Hung等认为C△H低频等离子处理ITO,由氟原子与ITO表面结合形成的CFt缓冲层,一方面阻止ITO中铟向活性有机层的扩散,另一方面可以对ITo表面进行修饰,提高空穴注人的效率,防止ITO表面的退化[14,l习。cFx薄膜在ITo表面修饰,使器件性能提高的机制,除了上述防止ITo表面退化、阻止铟原子向有机层扩散、提高空穴注人效率的解释外,也有研究认为CFt薄膜在ITO表面修饰降低了空穴注人效率。C。C,Hsiao等将CF∝薄膜引入聚合物OLED器件中,也得到了发光效率大大提高的结果。他们认为,CFt薄膜起作用的机制是,由于CF方薄膜与聚合物之间形成很大的指向CF另表面的偶电层,电子能量升高,

ITO功函数减小,因此空穴注人势垒增大,导致空穴注人效率降低。空穴注人效率的降低有利于电子与空穴的注人平衡,提高载流子复合形成激子的效率,因此器件效率提高Ⅱ刨。如图5.8所示,他们通过光电子能谱获得的能级数据显示,没有C△层和包括C△层的空穴注入势垒分别为0。∝eV和0,19eV。