HD74LS05P

   注人空穴,要求阳极的真空能级与HTL的空穴真空能级臼OMO目匹配或相近,亦即阳极功函数与HTL的HoMo相匹配。用作空穴注人的阳极材料,需满足以下条件:①高电导率;②优良的化学及形态稳定性;③高功函数;④女日果阳极一侧是光输出方向,则阳极材料要求在整个可见光范围内有较好的透光性,以利于器件产生的光发射出来。功函数较高的金属(金、银、铝、镍等)、透明导电金属氧化物rTCo∶transparent conductingoxide)、碳黑、导电聚合物等都被用作OLED的阳极材料。这些电极材料的功函数大都在4.5。0eV,从有机材料角度考虑,HOMO能级在5,0~5,5eV的有机物可以有效地由阳极注人空穴。

    铟锡氧化物Cndium tin oxide,ITO)是最常用的OLED阳极材料,其功函数在4.0叫.5eV左右。ITO的特点是稳定性好、透光性强,可见光范围内透光率达⒛%)、电阻率低(约为2~4×10彳Ω.cm)。ITo的导电机制主要取决于,在淀积过程中产生的氧空缺、以及氧化铟中引人的锡,可形成n型掺杂。产生一个氧空缺将多出两个电子,一个四价锡对三价铟的掺杂将会产生一个过剩电子,这些都将形成n掺杂效应。制备ITo薄膜通常采用真空溅射臼acuum sputting)、化学气相沉积(chemical vapourdeposition,CVD),或者喷雾高温分解(spray pyrolysis)等方法。靶材通常由In2O3掺杂10%snO2组成。由于ITO薄膜制备通常在21S°C以上的高温进行,柔性塑料衬底不能适用。因为高温会使塑料衬底发生形变甚至裂解。低温ITO薄膜生长技术对柔性OLED非常重要。尝试中的低温ITO生长技术包括脉冲烧蚀rpulsed ablation)、离子束辅助沉积(ion beam assisted depositionJ及负离子溅射技术oegative sputter on beam technology),其中负离子溅射技术是最有潜力的方法。