去耦电容的一般配置原则如下。S4PD-M3/86A

   (1)电源输入端跨接一个10~100uF的电解电容器(如果印制板的位置允许,采用100uF以上的电解电容效果会更好),或者跨接一个大于10uF的电解电容和一个0.1uF的陶瓷电容并联。当电源线在板内走线长度大于100mm时应再加一组。该处的去耦电容一般可选用钽电解电容。

    (2)原则上每个集成电路芯片都应布置一个680pF~0.1uF之间的瓷片电容,这种方法对于多片数字电路芯片而言更不可少。如果遇到印制板空隙不够,可每4~8个芯片布置一个1~10pF的钽电解电容。要注意的是,去耦电容必须加在靠近芯片的电源端(Vcc)和地线(GND)之间,如图⒋1.20所示,这一要求同样适用于那些抗噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和RoM、RAM等存储型器件。

  (3)去耦电容的引线不能太长,尤其是高频旁路电容不能有引线。