传统的芯片封装制造工艺

   芯片由晶圆切割成单独的颗粒后,再经过芯片封装过程即可单独应用。 OB2358

   本章介绍基本传统的芯片封装制造工艺流程。

   减薄(Back GHnd)

   芯片依I艺要求,需有一定之厚度。应用研磨的方法,达到减薄的目标。研磨的第一步为粗磨,目的为减薄芯片厚度到目标值(一般研磨后的厚度为250~300um,随着芯片应用及封装方式的不同会不一样)。第二步为细磨,目的为消减芯片粗磨中生成的应力破坏层

(一般厚度为l~2um左右)。研磨时需有洁净水(纯水)冲洗,以便带走研磨时产生的硅粉。

   若有硅粉残留,容易造成芯片研磨时的破片或产生微裂纹,在后序的工艺中造成芯片破碎的良品率问题及质量问题。同时需要注意研磨轮及研磨平台的平整度,可能会增加芯片破片的机率(因为平整度不好会造成芯片破片)。研磨机内部示意图如图19.1所示。