IDDQ测试和失效分析
发布时间:2017/11/22 20:41:46 访问次数:780
理论上IDDQ测试的失效现象是存在不正常的大漏电流路径.在时效分析手法用EMMI或OBRIC H最有效。 OB2226AP因为大漏电流引起的热点、外线L及复台产t的光子等・由此对缺陷点做定位c一旦失效位置确定舌.冉倩助相天T具莪。J以判断失效村L理・进雨i提供解决方案,提升良率。
IDDQ测试与可靠性
IDDQ测试方法对于芯片的可靠性提升是很有帮助的。有两种可能的漏电流来源.一个是缺陷造成的,一个是晶体管过大的漏电流。如果芯片可以通过扫描和功能测试.但IDDQ电流过大,统计表明,这类芯片会有较大的可靠性隐患。
理论上IDDQ测试的失效现象是存在不正常的大漏电流路径.在时效分析手法用EMMI或OBRIC H最有效。 OB2226AP因为大漏电流引起的热点、外线L及复台产t的光子等・由此对缺陷点做定位c一旦失效位置确定舌.冉倩助相天T具莪。J以判断失效村L理・进雨i提供解决方案,提升良率。
IDDQ测试与可靠性
IDDQ测试方法对于芯片的可靠性提升是很有帮助的。有两种可能的漏电流来源.一个是缺陷造成的,一个是晶体管过大的漏电流。如果芯片可以通过扫描和功能测试.但IDDQ电流过大,统计表明,这类芯片会有较大的可靠性隐患。
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