IDDQ测试可以侦测到的缺陷有开/短路、桥接、栅氧层击穿等物理缺陷,这些缺OB2211CP陷都会引发明显的Jm旧电流增大。内部连接线的短路与桥接如果存在电位差,即引起升高的电源电流。开路造成下级电路浮接,CMOs间门无法完全紧闭,也形成漏电。

   IDDQ测试的概念比较直观,容易了解,也容易实现。但要达到高覆盖率的r1m测试,关键是如何在缺陷处形成电位差,引发异常漏电流。这就需要引进测试矢量来配合。许多设计模拟工具可以提供rm)Q测试矢量生成。此外,IDDQ测试标准也必须跟着定期检查,以避免不正确的rm汨测试标准(specification)设定造成的误杀(over kill)或误放(under kill)。而制造T艺的△程变更,也会造成电流分布的变化JmⅪ测试电路如图18,4所示.