快速热处理I艺在制造先进的集成电路器件中扮演着童要角色,在不同代的CM(B制造I艺中有着广泛的应用,比如说,硅化钛、硅化钴、OP1177AR硅化镍的形成,离子注人造成的晶格损伤的修复,掺杂离子/元素的活化,介电材料的形成,沉积薄膜的重平坦化等LⅡ311。在这些应用中,最主要的就是超浅结的形成,包括源漏极(SD)及轻掺杂源漏(I'DD)或源漏扩展结构(SDE),如图10.1所示。而表10.1则列出了CMOS器件PN结深与超大规模集成电路的演变趋势。

    随着沟道长度的减小,所谓的短沟道效应(sl・tDrt channcl effect)会越来越显著,相应的源漏极及轻掺杂源漏的PN结深也要求越来越浅。为了得到低薄层电阻的超浅结,一方面必须采用高剂量低能的离子注人技术,另一方面必须采用高温热预算低的快速热处理技术。图10.12列出了几种常见的热处理工艺,跟传统的炉管退火丁艺相比,这几种△艺采用单一的反应腔室,升降温的速率及所能达的最高温度都有了很大的提高。下面对这几种比较先进的热处理△艺及它们在PN超浅结方面的应用做简单介绍。