为了找出无腐蚀的界限,在最差情况(最高可用的透射率晶圆)下探讨了聚合物气体CH1的影响。CH4流速从基数T增加到3.3T,相应的刻蚀终点和腐蚀缺陷的表现总结在图8.48中。 M01046正如所预期的,当CH1的流速达到2.3T时,得到了无腐蚀的结果。然而,当CH1的流速达到3.3T时,腐蚀缺陷再次出现,F组腐蚀缺陷的sEM像显示在图8.47(b)。可以明显地看到在侧壁上积累了过多的聚合物,也可以注意到这种腐蚀缺陷是从剥落的聚合物同铝垫侧壁的界面处生长出来的。

   这种现象可以归因于铝侧壁上过多的聚合物吸附了氯化物,并吸收了空气中的水分・反过来将铝垫侵蚀。更高的CH4流速对应更长的刻蚀终点时间。这表明从聚合物沉积的观点来说,CH1起着同透射率相类似的作用也就是说,CH1的增加可以补偿高透射率情况下缺少的聚合物,所以无腐蚀的窗口依赖透射率和CH4流速的结合。在上述试验中,CH1流速T对所有的透射率(7O%的情况己经足够高了,对于透射率为96.2%的情形,CH4流速被优化为2.5T。