优化光刻胶的厚度、波动线SBG3045CT(s诫ng curvc)。尽管有了底部抗反射层,还是会有一定量的剩余光从光刻胶底部反射上来。这部分光会同光刻胶顶部的反射光发生干涉,如图7.35(a)和图7.35(b)所示。由于随着光刻胶的厚度变化,“反射光0”与“反射光1”的相 位发生周期性的变化,因而产生干涉,而干涉对能量的重新分配会导致进入光刻胶内部的能量随着光刻胶的厚度变化会发生周期性的变化,于是线宽便会随着光刻胶的厚度变化而发生周期性的变化,如图7.35(b)所示。解决线宽随光刻胶厚度波动的问题一般有几种方法:

   优化抗反射层的厚度和折射率(选取合适的抗反射层)、选用两层抗反射层(一般其中一层常采用无机抗反射层,如氮氧化硅⒏ON)、加上顶部抗反射层(Top Ant卜reⅡecuon c。ating,TopARC,TARC)将光刻胶顶部的反射光去除。但是,增加一层抗反射层将使工艺变得更加复

杂和昂贵。在工艺窗口还能够接受的情况下,一般会选取在线宽最小时的厚度。这是因为,当光刻胶的厚度发生偏移时,线宽会变得大一些,而不是小一些,以至于工艺窗口急剧变小。