改进光刻机的狭缝照明均匀性、像差、焦距及找平控制、平台同精度以及温度控制精度;SC1004CS改进掩膜版线宽的均匀性;改善衬底,减小衬底对光刻的影响(包括增加对焦深度,改进抗反射层)等。其中,4.2节曾提到,增加设计图案的均匀性,有利于提高找平的准确性,事实上增加对焦深度。

   图形的边缘粗糙程度一般由以下几个因素造成:

   (1)光刻胶的固有粗糙程度:由光刻胶的分子量大小、分子量的大小分布以及光酸产生剂(Phot⒍Acid Generator,PAG)的浓度相关。

   (2)光刻胶的显影溶解率随光强增加的对比度:溶解率随光强变化在阈值能量附近变化越陡峭,则由于部分显影导致的粗糙程度越小。

   (3)光刻胶的灵敏度:光刻胶越是不依赖曝光后烘焙(Post Exposure Bake,PEB),线宽的粗糙程度有可能越大,曝光后烘焙可以去除一些不均匀性。

   (4)光刻像的对比度「刈或者能量宽裕度:对比度越大,图形边缘部分显影的区域就越窄,粗糙程度就越低。一般使用线宽粗糙度同图像对数斜率(Image Log Slope,ILS)的关系来表示。