Hf02族的高乃介质主要通过原子层沉积(ALD)或金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等方法沉积。NCP1654BD65R2G后栅极工艺路线主要采用ALD方法生成栅极介质Hf02,因为其沉积温度较低(300~400℃),低于HfO2的结晶温度。沉积采用的前驱体是H℃h,与H2O反应生成HfO2。

   HfCl衽+H20~→H⒀2+HCl

   前栅极I艺路线主要采用MOCVD沉积HsiO,然后通过热或等离子氮化生成HsiON。沉积温度较高(600~700℃),因为较高的沉积温度配合后续高温的氮化和氮化后热处理(1000℃),有助于去除薄膜中的C杂质,已知C杂质会在HfO2中形成施主能级,增大薄膜的漏电流(见图4.10)。

   沉积采用的Hf前驱体是TDEAH或HTB,⒏前驱体是TDMAS或TEOS,与02反应生成H⒗iO。

   TDEAH(HfEN(GH5)2]1)+TDMAS(⒏EN(CH3)2彐4+(九――÷HsiOx+C(、+H20+NOx HTB(Hf[O~C(CH3)3]刂+TEOS(⒏Eo~C(CH3)3彐4+02一Hf⒏Ox+CΘ2+H20