在淀积薄膜制备工艺中相对于后面第8章物理气相淀积而言,薄膜附着性好,与衬底结合得更加牢固。 PIC12F509这是因为化学气相淀积工艺制各的薄膜物的分子(或原子)是通过化学反应在衬底表面生成的,自身能量较高,可以迁移到合适位置,与衬底分子(或原子)会形成化学键(或化学吸附)来降低系统自由能,所以薄膜与衬底之间的结合牢固。

   另外,升高衬底温度能提高所淀积薄膜与衬底之间的结合力,温度越高薄膜分子(或原子)与衬底分子(或原子)形成的化学键越多,两者之间结合得就越牢固。工艺方法种类繁多,在集成电路工艺中采用的主要是APCVD、I'PCllD和PEC、0三种方法。随着集成电路工艺技术向深亚微米、纳米方向发展,有更多种CX/^lD工艺方法应用到集成电路工艺技术之中,并获得了发展进步。

   常压化学气相淀积(Λtm°splleⅡc Pres乩te Cl/Il,APCⅥ⑵是最早出现的C、0I艺,其淀积过程在大气压力下进行。APC`冫0系统结构简单,淀积速率可以超过0.1um/min,较快。目前在淀积较厚的介质薄膜(如二氧化硅薄膜)日寸,仍被普遍采用。

     设备和气相外延设备很相似,甚至有些类型的设备可以相互通用。图⒎8所示是几种常用的APCVD设备的反应器结构示意图。APCVD的反应器多是采用射频线圈直接对基座(易感器)加热,所以是冷壁式反应器。其中,水平反应器是APCVD工艺中应用最早、用途最广的反应器。在这种反应器中,衬底硅片平放在固定的基座上,混合气体平行于衬底表面流动,气体如果从一个方向进入反应器,基座沿着气流方向有一定的倾斜角度,这和气相外延水平反应器类似,目的也是为了提高气体沿着流动方向的流速,以使边界层厚度沿此方向减薄,从而抵消因反应剂的消耗而带来的基座上衬底表面反应剂浓度的降低,使淀积薄膜的厚度一致。垂直反应器又称立式反应器,有多种类型,其中衬底硅片平放在旋转基座上,气体通过中央的管道流人石英钟罩,废气沿基座的边缘流出。这种反应器对薄膜厚度控制效果良好,实验室用APCVD设各通常采用这种类型的反应器。桶形反应器的基座是由旋转平板排列成的一个桶形多面体,它与垂直方向偏离几度,硅片就放在这些平板上,气流方向平行于衬底表面自上向下流动。这种反应器一次能装载较多硅片,又能较好地控制淀积薄膜的厚度,因此也是使用较多的反应器。