环境中所有导体,包括人员,应该与一个已知接地或人造接地(如在船或飞机上)结合在一起,或电气连接和相连。如此的连接在所有物体和人员之间建立了一个等电位平衡。 RT9293BGQW只要系统中所有的物体都处在同一个电位上,静电保护就可维持在高出地电位“零伏特”电压的电位水平上。

   环境中必要的非导体,不能通过与地连接,失去它们的静电荷。空气电离化为这些必不可少的非导体提供了电荷中和的方式(电路板材料和一些器件的封装就是必不可少的非导体的例子)。为保证配合静电放电敏感物体的合理的措施的实施,要求对工作场合中必要的非导体上的静电荷所产生的静电放电危害,做出评估。

   静电放电敏感物体在静电放电保护区(文中以“静电保护区”)夕卜运送时,要求用静电防护材料密封起来,虽然材料的种类依赖于具体的情况和目的。在静电保护区内,低带电和静电耗散材料能提供合适的防护。静电保护区外,推荐使用低带电和静电放电屏蔽材料。

   采取有针对性的措施改变LED的器件结构和生产I艺可以很大程度上提高其抗静电能力。主要从两个方面进行考虑:①减小缺陷密度;②减小扩散电流。以GaN基LED为例,在芯片中添加不同厚度的p型A1GaN电子阻挡层(即EBL),这样增加了电子阻挡层的厚度,从而提高芯片的抗EsD能力。由于低温生长工艺,以及应力都会引起位错缺陷,如果这种缺陷不能得到有效控制,穿过InGaN-GN多量子阱(MQW)的线位错会导致大量表面缺陷,从而影响芯片承受EsD的能力。而更后的少AlGaN EBL层能对InGaN-GN多量子阱表面缺陷起到一定程度的填充作用,所以添加阻挡层能提高LED的抗静电能力。研究表明,在正向压降和LED光输出功率保持基本不变的情况下,如果将GaN基LED中p-A1GaN阻挡层厚度从32.5nm提高到130nm,芯片的承受能力将从1500V提升到ω00V。