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静电放电完全与器件相关

发布时间:2017/10/9 21:55:45 访问次数:428

   带电器件模型的损害主要来源是能量从一个带电器件迅速地释放。静电放RT9285BGJ6电完全与器件相关,但器件与地电位面的相对距离,却能影响实际的失效水平。该模型假定,当带电器件的导电管脚与具有较低的电位的导体表面接触时,会发生迅速放电。带电器件模型测试标准的准备过程中的一个主要问题,是如何找到适当仪器测量放电过程。信号波形的上升时间经常是少于,O0微微秒。整个过程可能发生在少于2.0纳秒的时间里。虽然时间非常短,放电时电流却能达到几十安培的水平。与前面两个模型不同,CDM模型是设备带电,然后放电。遵循的标准有EsD DS5.3.1。

   在我国LED行业中,目前大部分用人体放电模型作为对LED的抗静电放电性能的测试标准,一般只做500V,1000V,⒛00V的反向放电测试。这主要是囚为当前生产流程和包装过程中,工人与器件的接触是静电放电的主要来源。

   加强生产过程中的静电防护

   LED芯片耐压较低,结构脆弱,容易被静电脉冲击穿失效,而且静电引起的LED失效具有隐蔽性,很难通过快速简便的筛选方法进行剔除,因此在LED相关产品的生产过程中必须要做好静电防护。主要的措施包括工艺和测试流程控制、设备与用具控制、生产环境控制等。

   带电器件模型的损害主要来源是能量从一个带电器件迅速地释放。静电放RT9285BGJ6电完全与器件相关,但器件与地电位面的相对距离,却能影响实际的失效水平。该模型假定,当带电器件的导电管脚与具有较低的电位的导体表面接触时,会发生迅速放电。带电器件模型测试标准的准备过程中的一个主要问题,是如何找到适当仪器测量放电过程。信号波形的上升时间经常是少于,O0微微秒。整个过程可能发生在少于2.0纳秒的时间里。虽然时间非常短,放电时电流却能达到几十安培的水平。与前面两个模型不同,CDM模型是设备带电,然后放电。遵循的标准有EsD DS5.3.1。

   在我国LED行业中,目前大部分用人体放电模型作为对LED的抗静电放电性能的测试标准,一般只做500V,1000V,⒛00V的反向放电测试。这主要是囚为当前生产流程和包装过程中,工人与器件的接触是静电放电的主要来源。

   加强生产过程中的静电防护

   LED芯片耐压较低,结构脆弱,容易被静电脉冲击穿失效,而且静电引起的LED失效具有隐蔽性,很难通过快速简便的筛选方法进行剔除,因此在LED相关产品的生产过程中必须要做好静电防护。主要的措施包括工艺和测试流程控制、设备与用具控制、生产环境控制等。

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