(1)炉温为975℃恒温,将磷主扩散后的硅片(正片)推入恒温区氧化。时问为5min干氧→25min湿氧910min干氧。

   (2)三氧时间一到,将石英FGA40N65SMD舟匀速缓慢地拖至炉口;停炉,停气。

    思考题

   (1)两步磷扩散I艺的主扩散温度高,时间较长;而三氧温度低,时间较短,这与硼扩散I艺相反,为什么?

   (2)双极型晶体管的发射区若采取离子注人方法实现,请设计注人方法,通过计算机模拟确定工艺参数。

   (3)磷扩散易发生哪些异常现象?是什么原因引起的?

   (4)晶体管出现`值偏小或偏大的l・l能原囚有哪些?可从哪些方面着手解决?

   (5)如何判断磷扩散将基区扩穿?

   光刻引线孔

   光刻引线孔已是第三次光刻了,目的是去掉基区和发射区与内电极相连部位的氧化层。光刻方法与二次光刻相同,注意对版准确。光刻引线孔掩蔽膜图形如图A-8所示。

    思考题

   (1)二次光刻与前两次光刻有什么不同?