(1)硼扩散为什么采用两步扩散工艺,且以预淀积温度低、再分布温度高的方式进行?

    (2)当漂硼硅玻璃至硅片背面不挂水时,基区光刻窗FFP30S60STU口是何种状态?

   (3)为什么要漂硼硅玻璃?

    (4)基区的硼掺杂,可否用离子注人实现?若可以,设计工艺方法及模拟工艺条件。

   (5)再分布过程中如何针对预淀积方块电阻偏高或偏低来调节硅片表面硼的浓度?为什么?

   (6)硼扩散参数指标不合格,会给磷扩散带来哪些麻烦?

   (7)硼扩散方块电阻偏大或偏小,结深偏深或偏浅,会对晶体管产生什么样的影响? A,7 pn结结深测量

   pll结的结深是微电子器件的重要工艺参数之一,结深的测量是对器件工艺质量的一种必要检测,测量方法主要有:磨角染色法、扩展电阻法、扫描电镜法、阳极氧化剥层法等。磨角染色法是一种适合测量较深pn结的测量方法。以此方法对硼扩散结进行测量。