存在于⒏O2中的Na,即使在低于~900℃的温度下在氧化层中也具有很高的扩散系数。同时由S9S08DZ60F2MLF于Na以离子的形态存在,其迁移(TranspoⅡ)能力因氧化层中存在电场而显著提高。为了降低Na-的沾污,可以在工艺过程中采取一些预防措施,主要包括:①使用含氯的氧化工艺;②用氯周期性地清洗管道、炉管和相关的容器;③使用超纯净的化学物质;④保证气体在传输过程中的清洁。另外,保证栅材料(通常是多晶硅)不受沾污也是很重要的。使用PSG和BPSG玻璃钝化可动离子,可以降低可动离子的影响。因为这些玻璃体能捕获可动离子。用等离子淀积氮化硅来封闭已经完成的芯片,氮化硅起阻挡层的作用,可以防止Na+、水汽等有害物的渗透。

   氧化层固定电荷

   Ql通常带正电,但是在某些情况下也可能带负电,它的极性不随表面势和时间的变化而变化,所以叫它固定电荷。这种电荷是指位于距离s/s0界面3m的氧化层范围内的正电荷,又称界面电荷,它是由氧化层中的缺陷引起的,电荷密度为1俨~10⒓(血2。在超薄氧化层(小于3,01血)中,电荷离界面更近,或者是分布于整个氧化层之中。

   氧化层固定电荷的来源普遍认为是氧化层中过剩的硅离子,或者说是氧化层中的氧空位。由于氧离子带负电,氧空位具有正电中心的作用,所以氧化层中的固定电荷带正电。固定氧化层电荷的能级在硅的禁带以外,但在⒊02禁带中。硅衬底晶向、氧化条件和退火温度的适当选择,可以使固定正电荷控制在较低的密度。同时降低氧化时氧的分压,也可减小过剩~slˉ的数量,有助于减小固定正荷密度。另外,含氯氧化工艺也能降低固定正电荷的密度。