1厚度测量

   磨角法和滚槽法同前。层错法MAX8695ELR+T起源于衬底表面的外延层错的边长与外延层厚度的关系,如果测出层错的边长,即可计算出外延层厚度。红外干涉法是利用红外光在低阻衬底和高阻外延层界面反射光与表面反射光的干涉效应。

   2图形漂移和图形畸变的测量

   外延过程中,外延层表面相对于埋层图形的漂移和畸变的测量方法:先用磨角法或滚槽法显示出外延层,然后根据图形漂移,图形进行计算。

   3电阻率测量

   外延层电阻率的测量通常采用三探针法、四探针法、扩展电阻法和范德堡法等。对于高阻的薄外延层,一般应采用扩展电阻法和范德堡法。

    4杂质分布和自掺杂分布测量

   外延层的杂质分布和自掺杂分布一般采用扩展电阻法和GV法(微分电容法)测量。为了提高测量精度,保证重复性,外延片表面制各、汞-硅肖特基接触直径的选取和校准,以及避免汞探针的沾污等方面都要有所注意。GV法具有精确、快速和非破坏性的特点,测量范围是101・~10必lons/cm2。