范围在1×10ll~5×10121ons/cm2的小剂量注入的均匀性 MAX8655ETN和载流子分布的检测方法有二次注人法、MOS晶体管阈值电压漂移法、脉冲GV法和扩展电阻法等。

   几种方法的比较

   离子注入剂量范围通常是1011~10161ons/cm2,相当于杂质浓度范围为10b~1020lons/cm2。四探针法一般用于5×10⒓onst耐以上的剂量范围,具有快速和简便的特点。C―V法可用于l×1011ons幻∥~5×10⒓o“/cm2的剂量范围,对于小剂量注人,是一种比较准确的测量技术,如果采用水银探针,可以大大简化样品的制各。扩展电阻法可以覆盖整个剂量范围,但在小剂量下精度不如C亠y法。可以看出,作为离子注人的检测技术来说,这3种方法是互相补充的。

   离子注入层中杂质原子的分布一般采用中子活化分析、放射性示踪法、二次离子质谱(SIMS)、背散射(RBS)和俄歇电子能谱(AES)等方法检测.