双极型集成电路(Blpohr Int呓rated Grcuit)是以lllDn或pnp型双极型晶体管为基础的集成电路。它是最早出现的集成电路,具有驱动能力强、PAM3101DAB300模拟精度高等优点,一直在模拟电路和功率电路中占据主导地位。但是,双极型集成电路的功耗大,纵向尺寸无法跟随横向尺寸成比例地缩小,因此随着CMOs集成电路的迅猛发展,双极型电路在功耗和集成度方面受到了CMOS技术的严重挑战。

   双极型集成电路的基本I艺大致可分为两大类:一类是需要在元件之问制作电隔离区的I艺,另一类是元件之间采取自然隔离的工艺。采用第一类I艺的主要有晶体管-晶体管逻辑(TTI')电路、射极耦合逻辑(ECI')电路、肖特基晶体管-晶体管逻辑(STTI冫)电路等。它们的工艺过程基本相同,只是ECI'电路比TTI'电路少了掺金工艺,STTL电路则比TTL电路多了肖特基二极管I艺。隔离置艺有pn结隔离、介质隔离及px1结-介质混合隔离。而采用元件之间自然隔离工艺的另一类电路主要是集成注入逻辑(I2I冫)电路。

   近年来,为了进一步提高双极型集成电路性能,如提高电流增益及截止频率,其制造工艺也大量地采用MOS电路中的新工艺技术,发展出多种先进的双极型集成电路丁艺技术,如先进隔离技术、多晶硅发射极工艺、自对准结构工艺和异质结双极型晶体管技术等。另外,铜互连系统也将应用于先进的双极型集成电路工艺中。

   双极型集成电路工艺技术的发展使其在集成度较小的高性能电路尤其是通信系统中继续占据主导位置。⒏订衬底的采用是其工艺技术发展的重要方向,但必须解决高驱动电流带来的热效应问题。近年来出现的以&)A(Sihcon oll Anythl△bc)为衬底制造新型射频(RF)双极型电路技术,通过采用高热导率绝缘材料替代二氧化硅,能够解决⒏)I上的双极型集成电路的热效应问题。