源漏延伸区结构是从LDD结构发展而来的c随着器件尺寸的进一步减小,虽然漏PAM3101AAA300极电场也增加,但该电场加速的路程也随之减小,因而热载流子效应退居次要位置,而短沟道效应成为首要问题。由于源漏延伸区与沟道直接相连,它的结深和横向扩展对短沟道应具有极其重要的影响,同时它的等效串联电阻对器件驱动电流大小也产生重要影响。故源/漏延伸区比LDD结构需要更浅的结深和更高、更陡的掺杂浓度分布。

   在0.1Im CR/IfB器件中必须采用超浅的高掺杂浓度的源/漏(S/D延伸区结构,其目的是抑制短沟道效应,获得低的吖D串联电阻,同时与深的吖D结相结合以实现硅化物自对准工艺,而不增加结漏电。

    高表面浓度、超浅延伸区结形成方法有多种,包括固相扩散、通过s(`注入再快速热退火(R趴)、低能注人、预无定形注人加低能注人再RT~A、等离子浸润等方法c其中低能注入是大生产中普遍采用的方法,但是需要专门的昂贵的注入设备。预无定形注入加低能注入也是人们青睐的制备超浅结的方法。因为预无定形注人有效地抑制了离子注人的沟道效应,便于实现浅结。同时无定形注人层在退火时产生的固相外延生长,对消除损伤、抑制瞬时增强扩散、获得浅结有利。无定形注人离子一般选择重离子为宜,常用的有In、乩、Ce、As、F等,早期有用s的,效果不好。同样能量下离子质量越大、越重,形成无定形层所需的剂量就越低,这样损伤小J寸减小漏电有利。