铝是半导体工艺中最主要的导体材料。它具有低电阻、易于淀积和刻蚀等优点。 OPA2604IDRQ1氟化物气体所产生的等离子体并不适用于铝的刻蚀,因为反应产物的蒸气压很低不易挥发,很难脱离被刻物表面而被真空设各所抽离。铝的氯化物则具有足够高的蒸气压,因此能够容易地脱离被刻物表面而被真空设备所抽离。所以氯化物气体所产生的等离子体常作为铝的干法刻蚀源。铝的表面在空气中很容易被氧化,所以在通常情况下,铝表面总是覆盖有很薄的(约30A)自然氧化层。在刻蚀铝之前,可用溅射或化学还原法去掉这层氧化层。BC13及CC1气体在等离子体中电离时,可以还原这一薄氧化层。这一过程在刻蚀开始阶段可以观察到。水汽会严重影响铝的刻蚀速率,并引起不可重复的结果。在起始阶段,水汽的存在会推迟铝开始刻蚀的时间。刻蚀产物AlC1的挥发性没有达到最佳,可能沉积到反应器壁上。当反应器暴露在空气中时,凝聚在反应器内壁上的AlC圮就会吸附大量水汽,再次进行刻蚀时,这些水汽又会影响刻蚀。所以,必须将反应室中的水汽排除。适当提高刻蚀温度,使得AC圮获得更好挥发性,才能获得可重复的川刻蚀工艺。

   刻蚀铝的主要设备是平板反应器,可用以实现RIE刻蚀或等离子体刻蚀,并能获得各向异性刻蚀剖面,用混合气体(如CC1C1或BC1C1)的刻蚀效果更佳。在很宽的工艺参数范围内,BC1刻蚀剂不产生聚合物。而在CC1等离子体中,往往产生聚合物膜,影响刻蚀。因此,BC比CCh对铝的刻蚀性能更好些。