微电子丁艺使用的衬底硅片既有本征型的,又有掺杂型的,根据不同微电子产品r艺特点,选用K4S561632J-UC75特定导电类型和电阻率的硅片作为衬底材料。因此,在单晶生长时,需要在硅锭中掺人一定量的特定Ⅲ、Ⅴ族杂质。

   硅锭掺杂方法主要有3种:液相掺杂,气相掺杂,中子嬗变掺杂。

   液相掺杂是在单晶生长过程中最常用的掺杂方法,有两种掺杂方式:直接掺杂和母合金掺杂。直接掺杂是指将所需杂质单质按剂量直接加人到坩埚的多晶硅中,这种方法适用于制备重掺杂的硅锭。母合金掺杂是指将杂质元素先制成硅的合金,如磷硅合金、硼硅合金,然后,再按照所需的剂量将合金加入到坩埚的多晶硅中,这种方法适用于制备轻掺杂和中等浓度掺杂硅锭。

   采用母合金掺杂方式,在杂质剂量很少时,可以提高掺杂剂量的精度。例如,生长电阻率为1Ω・cm的Ⅱ⒊,多晶硅质量为Ws=5o kgr,杂质为砷,求需掺人砷的剂量。