2001年4月,EUV`有限责任公司(EUV LLC)推出了第一台全尺寸EUV深度紫外线光刻机原型。EUV LLC是由一些全球领先的芯片制造商和3个美国能源部研究实验室组成的联盟。 H5007T成员包括英特尔、AMD、IBM、Micron、Infeneon和摩托罗拉。

    EUV的工作原理图如图10-27所示,具体原理如下。

   ①激光对准氙气喷嘴。当激光击中氙气时,会使氙气变热并产生等离子体。

   ②一旦产生等离子体,电子便开始逃逸,从而发出波长为13nm的光,由于波长太短,人眼看不到这种光。

   ③接着这种光进人聚光器,然后后者将光会聚并照到掩膜上。

   ④通过在反射镜的一些部分施加而其他部分不施加吸收体,在反射镜上形成芯片一个平面的图案的光学表示,这样就产生了掩膜的效果。

   ⑤掩膜上的图案被反射到4~6个曲面反射镜上,从而将图像微缩,并将图像聚投到硅衬底上。每个反射镜使光线稍微弯曲以形成将刻到衬底上的图像,这就像照相机中的透镜将光弯曲以在胶片上形成图像一样。

   整个工艺必须在真空中进行,原因在于这些光的波长太短,甚至空气都会将它们吸收殆尽。此外,EUV使用涂有多层钼和硅的凹面镜和凸面镜――这种涂层可以反射将近70%的波长为13.4nn1的极紫外线光,其他30%被反射镜吸收。如果没有涂层,光在到达衬底之几乎就会被完全吸收。镜面必须近乎完美,即使涂层中的小缺陷也会破坏光学形状并扭曲刻蚀电路图案,从而导致芯片功能出现问题。

   极紫外光刻用波长为10~14nm的极紫外光作为光源。虽然该技术最初称为软X射线光刻,但实际上更类似于光学光刻。

   ⒛12年,荷兰ASML公司推出第一个基于极紫外光刻(EUVI')平台商用的量产机型TWi“∞nNXE:3300B,采用13.5nm的极紫外光作为光源,使用传统照明分辨率可达22nm,使用离轴照明技术更可达18nm,其单台售介高达1.05亿美元。