更为重要的是,RTP在大直径硅单晶材料的缺陷工程上也得到了应用。通过在高RB751S40温下对硅片进行处理,在硅片的纵深方向上建立起空位浓度梯度,即在硅片的表面空位浓度低而体内的浓度高,利用空位来增强硅片体内在后续处理中的氧沉淀。MEMC成功地将RTP应用于硅片的“内吸杂”I艺,在硅片表面的器件有源区形成无缺陷的清洁区,而在体内形成合理的缺陷密集区,这就是所谓的“魔幻清洁区”(Ma西c DCnuded Zone,MDZ)。它主要是利用空位促进氧沉淀原理来实现的,主要工艺是通过RTP的快速升温特点在硅中激发出大量的空位和白问隙原子对,在高温保温几十秒的过程中,使空位和自间隙硅原子都达到平衡状态,由于空位在硅晶体中的平衡浓度要高于自间隙硅原子,所以硅中的主要点缺陷是空位。在随后的快速冷却的过程中,硅片近表面的空位扩散到表面,而体内的空位来不及外扩散,保留在硅片体内,这样导致空位的分布在硅片近表面成余误差函数分布。最后通过空位在1050℃以下形成的O2V复合体促进了体内氧沉淀的形成,从而最终完成MDZ的形成。

   MDZ工艺是一种显著而又快速地获得可靠的、可重复的洁净区的内吸杂工艺,其生成与硅片的原生氧浓度、热历史和集成电路制造的具体细节等几乎无关。RTP与传统批量炉不同之处是有急剧快速的变温(升温、降温)速度,叉可以有复杂的、多级的广温度范围变化控制能力;而且RTP还是单片I艺过程,减少了由于操作失败带来的风险。RTP在生产中主要应用的方面有:吖D结注人退火(掺杂剂激活);接触合金化;难溶钛化物(TlN)和硅化物(TlS炻)生成;门介质薄氧化物生成;C、○和P、①膜致密化(如氧化膜、硅化膜、阻挡层膜);硅材料缺陷工程中的应用;杂质扩散方面的应用等。