目前微电子制程中常用的掺杂杂质主要包括硼(B)、磷(P)、砷(As)和锑(Sb),它们几R3111N271C-TR-F乎涵盖了所有需要的掺杂。

   硼扩散

   硼扩散是p型掺杂使用最多的方法之一,目前多用BN陶瓷片同态源,采用开管式方法,以预淀积和再分布两步法进行。

   工艺流程

   基本工艺流程包括:清洗→预淀积→漂硼硅玻璃→再分布艹测方块电阻。

   ①清洗:光刻出扩散窗口的硅片,必须清洗后再进行硼扩散。

   ②预淀积:是恒定源扩散,目的是在扩散窗口硅表层扩人总量一定的硼。扩散炉升温到规定的I艺温度,把硼源推人恒温区,硼源也可以在炉内和炉子一起升温,通人N2作为保护气体,以避免空气中杂质的沾污。当炉管内充满B20d蒸气时,再将待掺杂硅片推人炉管的恒温区,进行预淀积。例如,3DK4预淀积工艺条件为温度985℃、N2为0.5Vmin,时间为十几分钟。实际中可以先用陪片来确定预淀积的扩散时间,通过测定预淀积陪片的方块电阻来确定正片的预淀积时间。