漂硼硅玻璃:预淀积后的扩散窗口表面有薄薄的一层硼硅玻璃,应在10%HF中漂约10秒钟,去除这层硼硅玻璃。

   再分布:是限定源扩散,硼源总R3111N451A-TR-F量已在预淀积时扩散在窗口上了,再分布的目的是使杂质在硅中具有一定的分布,或达到一定的结深。再分布不再需要其他硼源,一般工艺温度高于预淀积温度,时间长于预淀积时间。另外,通氮气保护,可以通氧气和氧化同时进行。

   例如,3DK4制各中硼扩散的再分布也是二次氧化,工艺条件为干氧10min9湿氧30min→干氧10Y【lln,温度H70℃。再分布也是先用陪片来确定扩散时间,通过测定再分布陪片的方块电阻来确定正片的再分布时间。

   测方块电阻:可以通过测方块电阻来了解掺杂情况。

   如果再分布是与氧化同时进行的,能够通过调节干、湿氧时间来对硅表面杂质浓度进行调整。因为硼在硅与二氧化硅界面有杂质再分布现象,这主要由硅的氧化速率、杂质在⒊/Si02中的分凝(Κ:

=o.1)以及硼在Sl与⒊02中的扩散速率决定的,其中氧化速率是主要因素。若在预淀积时扩人硅中的棚的总量比所设计的值偏大,即测得的方块电阻偏小,再分布时就可以通过缩短干氧时间,或直接通湿氧来加快氧化速率,使原来在硅表面的硼保留在生长出的⒊O2中,⒏/SiO2界面的硅一侧即硅表面杂质浓度有所下降,将使再分布后的方块电阻有所提高。