图616 不同能量的硼注人硅中的原子浓度分布测试值与高斯分布、四差动分布曲线反之,M62429FP如果注人的离子质量大于靶原子质量,如锑离子注入硅靶中,碰撞结果将引起在比峰值位置更远一侧堆积,同样也偏离于理想的高斯分布,如图617中实线所示;同时测试结果也表明要达到同样的注入深度,锑离子所需要的能量要远高于硼离子。

   在实际注人时还有更多影响注人离子分布的因素,主要有衬底材料、晶向、离子束能量、注人杂质剂量,以及人射离子性质等。图618所示为同样能量的B、P、As、乩等离子注人到硅靶中的射程和

浓度分布。

   图619所示为在⒊和⒏02中注人B、P及As的投影射程与人射离子能量的关系曲线。在一级近似下,投影射程随离子能量线性增加;对于给定的能量,轻离子比重离子有较长的射程。在⒊中B、P及As离子的ARP和AR⊥与人射离子能量的关系曲线如图6⒛所示,很明显它也遵守图619所示的离子质量关系;在人射能量一定时,同一元素的两种偏差之间差别不大,一般不超过±20%。

    如图621所示为在GaAs中氢、锌、硒、镉、锑的投影射程、投影射程标准偏差和横向标准偏差与人射离子能量的关系曲线。将图“19与图621相比较,在能量一定情况下,大多数常用掺杂元素在 硅中的投影射程比在砷化镓中的大。