实际的注人离子浓度分布非常复杂,并不严PH865C12格地服从高斯分布。其中一个重要的影响因素是粒子背散射。将一束高能离子人射到靶片上,人射离子中的一小部分足够靠近靶核(小于104A或1o5A),由于库仑排斥作用,与靶核发生大角度的弹性散射,使散射离子从样品表面反射回来,这样的粒子称为背散射粒子。背散射粒子的能量与靶原子的质量和位置有关,它将使注人离子的分布偏离理想的高斯分布。

    当轻离子注入到较重原子的靶中,如硼离子注入硅靶中,硼离子硅原子碰撞时,由于质量比硅原子小,就会有较多的硼离子受到大角度的散射使反向散射的硼离子数量增多,因而就会引起在峰值位置与表面一侧有较多的离子堆积,不服从严格的高斯分布,如图616所示为不同能量的硼注人硅中的原子浓度分布测试值与高斯分布、四差动分布曲线。