在这三个参数中,结深和方块电阻能方便地测得,而表面浓度的直接测量比较困难,必须采用放射性示踪技术或其他较麻烦的手段。因此,在生产中,常由测量R□和trl来了解扩散层的杂质分布,并通过调节扩散条件来控制R□和.rl的大小,从而达到控制扩散杂质分布的目的。 R459.125UR而在产品设计或分析中需要知道表面浓度Cs的具体数值时,可通过已知的凸和与:的关系(B=寺窀》先求出平均电导率然后通过查图表的方法求得。

   表面浓度的大小一般由扩散形式、扩散杂质源、扩散温度和时间所决定。但对于恒定表面源扩散,表面浓度的数值基本上就是扩散温度下杂质在硅中的固溶度。也就是说,对于给定杂质源的情况,表面浓度(Cs)由扩散温度控制。对限定表面源扩散(如两步扩散中的再分布),表面浓度则由预淀积的杂质总量和扩散时的温度和时间所决定。但扩散温度和时间由结深的要求所决定,所以此时的表面浓度(Cs1)主要由预淀积的杂质总量来控制。在结深相同的情况下,预淀积的杂质总量越多,再分布后的表面浓度就越大。但基区硼再分布和发射区磷再分布(再扩散),囚扩散与氧化同时进行,有一部分杂质Q要积聚到所生长的⒊o层中,再分布后扩散层的杂质总量Ql等于预淀积杂质总量Q与Q2之差。因此影响再分布后表面浓度(Cs2)的因素,还有积聚到⒊02层中的杂质Q~。所以,在实际生产中,发现基区硼预淀积杂质总量Q太大(也即R二偏低)日寸,在再分布时应缩短第一次通干氧的时间(即湿氧时间提前),造成较多的杂质聚集到⒊02层中,使再分布后基区的表面浓度Q符合原定的要求。

   在晶体管的设计和扩散层的分析中,常要用到次表面薄层的概念。次表面薄层就是指扩散表面之下,自某个深度J的平面到pn结位置之间的一个薄层。例如,扩散型晶体管的基区就属于这种情况,如图522所示是基区薄层电阻Rab与扩散层薄层电阻R′汕示意图。在曲e处的杂质浓度就称为次表面浓度。