因为s02与s的热膨胀系数不同(Si是2.6×106Kl,SiO2是5×107Kl),因此在结束氧化退出高温过程后,会产生很大的热应力,对⒊O2膜来说是来自s的压应力。 MAX17141ETG+这会造成硅片发生弯曲并产生缺陷。严重时,氧化层会产生皲裂,从而使硅片报废。所以在加热或冷却过程中要使硅片受热均匀,同时,升温和降温速率不能太大。

   其他氧化方法

   随着集成电路特别是超大规模集成电路的发展,横向和纵向加工尺寸的等比例缩小,要求降低加工温度和进一步提高热氧化生长的s02层质量。由此,热氧化工艺技术也不断发展,出现了掺氯氧化、高压氧化等工艺方法。

    掺氯氧化

   掺氯氧化是当前集成电路生产中用来制造高质量洁净⒊O2膜的常用技术。通过在氧化气氛中加入一定量的含氯气体(如Hα、0HC1等),使二氧化硅质量和s―SiC)2系统性能有很大提高。

   掺氯氧化对氧化膜起主要作用的是氯,氯的来源可以是氯源本身或含氯化合物反应产生。所用的氯源有HCl、三氯乙烯(C2Hα3,TCE)、三氯乙烷、二氯甲烷、C1、NH4Cl、CCh等多种,目前国内用得较多的是HCl和TCE。

   HCl的氧化过程,实质上就是在热生长s02膜的同时,在⒏O2中掺人一定数量的氯离子的过程。实验表明,所掺入的氯离子主要分布在⒏/SK、界面附近100A左右处。这些氯离子较多地填补了界面附近的氧空位,形成⒏―Cl负电中心,因此降低了固定正电荷密度和界面态密度(可使同定正电荷密度降低约一个数量级)。