高纯的三氯乙烯在常温下是液体,可直接用氮气、氨气或氧气携带进人反应室,系统中的TCE量由源温、源气体流量等来调节。但TCE的饱和蒸气压随源温而变化,MAX1908ETI所以在氧化过程中源温要恒定。在一定的源温下选取适当的源气体流量来满足I艺要求。TCE氧化过程与一个简单的具有恒定氯源的氯在氧化硅中的扩散过程十分类似,这个氯在氧化硅中的扩散是指它在氧化层中的积累。假如反应室中氯分压恒定,就相当于恒定表面源扩散,氯在sO2中的积累量与氯在⒊O2中的扩散系数和扩散时问有关。当TCE源温不变、流量比一定时,则氧化温度越高、时间越长,掺入SlO2中的氯就越多。因此结合进氧化层中的氯是与源温、携源气体和氧化气体的流量比、氧化温度和时间等有关。适当调节这些参数就能得到较好的掺氯氧化膜。

   氧化膜中的氯基本上集中在⒊/Si()2界面⒊02一侧,这正是固定氧化物电荷分布的区域。界面附近高密度的氯离子填补了氧空位,从而降低了SI/sio2系统中的固定氧化物电荷密度及界面附近电荷密度。氯在氧化膜中的行为是比较复杂的,从实验观察分析认为有以下几种情况:①氯是负离子,在氧化膜中集中必然造成负电荷中心,它与正电荷的离子起中和作用;②它能在氧化膜中形成某些陷阱态来俘获可动离子;③碱金属离子和重金属离子能与氯形成蒸气压高的氯化物而被除去;④在氧化膜中填补氧空位,与硅形成⒏―Cl键或s―O―C1复合体。所有这些都会对氧化膜及其下面的硅的性质有显著的影响。