磨出平边后用化学腐蚀方法去除滚磨造成的损伤,化学腐 M1TSVB1SHI蚀液为HPHNo3系统。

   切片:以主平边为基准,将硅锭切成具有精确几何尺寸的薄晶片。(111)、(100)硅片的切片偏差小于±1°,而外延用(111)硅片应偏离晶向3°±0.5°切片。

   切片的设各:内圆切割机或线切割机。

   倒角:将切割好晶片的锐利边修整成圆弧形,以减少晶片边缘的破裂及晶格缺陷的产生。碎削会给后面的工艺带来污染。

   倒角设各:倒角机。

   研磨:通过研磨除去切片造成的硅片表面锯痕,以及由此带来的表面损伤层,能有效改善硅片的曲度、平坦度和平行度,达到一个抛光过程可以处理的规格。

   研磨设备:研磨机(双面研磨)。主要原料:研磨浆料(主要成分为氧化铝、铬砂、水),滑浮液。腐蚀:在经切片及研磨等机械加工之后晶片表面受加I应力而形成的损伤层使用腐蚀方法去除工艺。腐蚀方式有酸性腐蚀和碱性腐蚀,酸性腐蚀是最普遍方法。酸性腐蚀液由HNO3-HF混酸及一些缓冲酸液(CH3COCH,H3PO4)组成。碱性蚀的腐蚀液由

   KOH或NaOH强碱加纯水组成。

   抛光:去除晶片表面的微缺陷、改善表面光洁度、获得高平坦度抛光面的加工方法。抛光加工通常先进行粗抛,以去除损伤层,一般去除量为10~~90um;然后再精抛,以改善晶片表面的微粗糙程度,一般去除量在1um以下。抛光液通常由含有s02的微细悬浮硅酸盐胶体和NaOH强碱(或KOH或NH^OH)组成,分为粗抛浆液和精抛浆液。