晶体管制造工艺包含前工艺和后工艺两部分。晶体管芯片工艺称为晶体管制造前工艺,是集成NAC-30-472电路产品制造的特有工艺。晶体管芯片工艺完成之后,接下来的I艺称为晶体管制造后工艺,如图⒍1微电子产品的生产过程示意图后面部分所示。后△艺也称为测试封装工艺。晶体管制造后I艺流程内容为:中测,测试整个硅片上的晶体管性能;分割硅片,剔除性能不合格的管芯,得到合格的单个管芯;管芯黏结,用导电胶等将管芯黏结在管壳的底座上,或者通过烧结等方法使底座与管芯之间形成欧姆接触;压焊,用压焊机将硅铝丝或金丝一端焊接在芯片压焊点上,另一端焊接在管座的接线柱上,日的是将管芯的发射极和基极用金属丝分别与管座上相应的接线柱连接

起来,实现内部电连接;封帽,扣上管壳的管帽,用封帽机将管帽密封焊接在管座上。最后,通过测试选出合格的晶体管。

   在硅基微电子产品中,目前分立器件除大功率晶体管以及高频、微波等特殊用途器件之外,常规元器件多以集成方式出现。主要是各种类型的集成电路,如特大规模集成电路(ULSI)、超大规模集成电路(VL⒏)、大规模集成电路(I'SI)、中规模集成电路(MSI)、小规模集成电路(SSI),以及用户专用电路(ASIC)。

   集成电路把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元器件及金属布线互连在一起,制作在半导体芯片上,然后封装在管壳内,具有所需的电路功能。集成电路的制造工艺与分立器件的制造工艺一样,都是在硅平面工艺基础上发展起来的,有很多相同之处,如氧化、光刻等单项工艺,其工艺方法、原理及使用的设备都基本相同。但是,也有许多不同之处,最大的不同之处是各元器件之间的电隔离和芯片内部实现电连接的金属化系统。而且,集成电路(特别是ULSI)比分立器件复杂得多,因此,ULSI制造工艺是在和分立器件类似的单项工艺基础上又增加了一些特有的工艺技术,如芯片表面平坦化工艺、选择性(局部)氧化工艺等。

   集成电路工艺从广义上讲,包含半导体集成电路和分立器件芯片制造及测试封装的工作、方法和技术。集成电路工艺是微电子学中最基础的、最主要的研究领域之一。