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交流工作电压测量法

发布时间:2016/12/2 20:05:28 访问次数:419

   为了掌握£交流信号的变化情况,可以用带有dB插孔的万用表对IC的交流工作电压进行近似测量。 H1188NL检测时万用表置于交流电压挡,正表笔插人dB插孔;对于无dB插孔的万用表,需要在正表笔串接一只0.1~0.5uF隔直电容。该法适用于工作频率比较低的IC,由于电路的固有频率不同,波形不同,所以所测的数据是近似值,只能供参考。

   总电流测量法

   该法是通过检测IC电源进线的总电流来判断IC好坏的一种方法。由于£内部绝大多数为直接耦合,IC损坏时(如某一个PN结击穿或开路)会引起后级饱和与截止,使总电流发生变化,所以通过测量总电流的方法可以判断IC的好坏。也可用测量电源通路中电阻的电压降,用欧姆定律计算出`总电流值。

   带程序的芯片

   (1)EPR0M芯片一般不会损坏。因这种芯片需要紫外线才能擦除掉程序,故在测试中不会损坏程序。但有资料介绍:因制作芯片的材料所致,随着时间的推移,即便不用也有可能损坏(主要指程序),所以要尽可能加以备份。

   (2)EEPROM、SPROM等及带电池的RAM芯片,均极易破坏程序。

   (3)对于电路板上带有电池的芯片不要轻易将其从板上拆下来。

   为了掌握£交流信号的变化情况,可以用带有dB插孔的万用表对IC的交流工作电压进行近似测量。 H1188NL检测时万用表置于交流电压挡,正表笔插人dB插孔;对于无dB插孔的万用表,需要在正表笔串接一只0.1~0.5uF隔直电容。该法适用于工作频率比较低的IC,由于电路的固有频率不同,波形不同,所以所测的数据是近似值,只能供参考。

   总电流测量法

   该法是通过检测IC电源进线的总电流来判断IC好坏的一种方法。由于£内部绝大多数为直接耦合,IC损坏时(如某一个PN结击穿或开路)会引起后级饱和与截止,使总电流发生变化,所以通过测量总电流的方法可以判断IC的好坏。也可用测量电源通路中电阻的电压降,用欧姆定律计算出`总电流值。

   带程序的芯片

   (1)EPR0M芯片一般不会损坏。因这种芯片需要紫外线才能擦除掉程序,故在测试中不会损坏程序。但有资料介绍:因制作芯片的材料所致,随着时间的推移,即便不用也有可能损坏(主要指程序),所以要尽可能加以备份。

   (2)EEPROM、SPROM等及带电池的RAM芯片,均极易破坏程序。

   (3)对于电路板上带有电池的芯片不要轻易将其从板上拆下来。

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12-2交流工作电压测量法

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