IPEM内IBGT的管芯形式为:⒑BT器件被安装在具有高热导率且绝缘的衬底板上,利PBLS2001S用独特的电路来实现各器件的相互连接。IPEM的控制电路、栅极缓冲器、电流和温度传感器、电平位移电路和保护电路都利用表面贴装元器件安装在已烧制好的普通陶瓷片上,一个微处理控制器与IPEM接口,提供所需的控制功能,这种以高集成度为特色的混合结构,结合了无源元器件的集成技术。采用新型材料、热控技术及谐振软开关技术所制成的IPEM为新世纪电力电子技术的发展开辟了新途径。

    IPM特性

    IPM中IGBT芯片的σcE(喇)可降到1.8Ⅴ,且它具有如下特性:

   (1)饱和压降和开关速度之间的关系达到最优化;

   (2)具有足够的安全工作区,能很好地满足曲控制℃给出的保护范围;

   (3)采用电流传感器单元设汁。

    IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装1个IGBT)、D型(内部封装2个⒑BT)、C型(内部封装6个⒑BT)和R型(内部封装7个⒑BT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统,中大功率的1PM使用陶瓷绝缘。IPM的功能框图如图⒋7所示。