1)电流上升率山/d莎的抑制

   晶间管初开通时电流集中在靠近门极的阴极表面较小的区域,局部电流密度很大,然MAX3221IDB后以0.1mll/us的扩展速度将电流扩展到整个阴极面。若晶闸管开通时电流上升率dj/d莎过大,则会导致PN结击穿,必须限制晶间管的电流上升率在合适的范围内。其有效办法是在晶闸管的阳极回路串联电感,如图3-23所示。

   2)电压上升率dl//d莎的抑制

   加在晶闸管上的正向电压上升率d・/dε也应有所限制,如果d乙/d莎过大,由于晶闸管结电容的存在而产生较大的位移电流,该电流可起到触发电流的作用,使晶闸管正向阻断能力下降,严重时引起晶闸管误导通。为抑制d乙/d莎的作用,可以在晶闸管两端并联RC阻容吸收回路,如图3-9ZI所示。