ICP刻蚀
发布时间:2016/11/5 19:21:52 访问次数:4609
ICP刻蚀。ICP刻蚀即感应耦合等离子体刻蚀,是利用气体辉光放电产生的高密度等离子JANTX2N7225体轰击材料表面进行刻蚀的技术。利用ICP技术,以光刻胶为掩膜刻蚀G扒夕卜延片,获得裸露的n~GaN层,图5-”白色图形区域为p-GaNI层,其余区域为裸露出的ll C・aXT层。
图形光刻电极。金属电极的图形光刻过程与光刻ITO过程相同,不同的是在这一过程采用光刻负胶,曝光过程所使用的掩膜板图形见图5-23,灰色区域显示为光刻胶去除部分,其余为光刻胶保护部分。显影后的图形如图5-z所示,圆形部分和扇形部分为裸露区域,其余部分受光刻胶保护。
ICP刻蚀。ICP刻蚀即感应耦合等离子体刻蚀,是利用气体辉光放电产生的高密度等离子JANTX2N7225体轰击材料表面进行刻蚀的技术。利用ICP技术,以光刻胶为掩膜刻蚀G扒夕卜延片,获得裸露的n~GaN层,图5-”白色图形区域为p-GaNI层,其余区域为裸露出的ll C・aXT层。
图形光刻电极。金属电极的图形光刻过程与光刻ITO过程相同,不同的是在这一过程采用光刻负胶,曝光过程所使用的掩膜板图形见图5-23,灰色区域显示为光刻胶去除部分,其余为光刻胶保护部分。显影后的图形如图5-z所示,圆形部分和扇形部分为裸露区域,其余部分受光刻胶保护。
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