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过电压综合保护系统

发布时间:2016/11/23 21:07:36 访问次数:762

   过电压保护的第二种方法是采用电子电路进行保护,常见的过压保护原理图如图3ˉ21所示。 SA2411DH为限制过电压的幅值低于元器件的正、反向峰值电压,可采取过电压综合保护系统,如图3-21所示.

    

   在变压器一次侧接上避雷器,在二次侧加装阻容、硒堆、压敏电阻等非线性电阻元器件进行保护。在整流直流侧采取压敏电阻和泄能保护装置,以防止元器件承受过电压。也可在晶闸管阴阳极两端直接进行保护,晶问管在关断过程中,主电流过零反向后迅速由反向峰值恢复至零电流,此过程可在元器件两端产生达正常工作峰值电压5~6倍的尖峰电压。一般应在尽可能靠近晶闸管处接上阻容吸收回路。电阻R选无感电阻,通常取5~⒛Ω;电容C通常为0.1~1uF,耐压选晶闸管耐压的1,1~1.5倍。具体R、C取值可根据晶闸管型号及工作情况决定,但应保证电阻R的功率,尤其在中频逆变电路中,使之不会因发热而损坏。


   过电压保护的第二种方法是采用电子电路进行保护,常见的过压保护原理图如图3ˉ21所示。 SA2411DH为限制过电压的幅值低于元器件的正、反向峰值电压,可采取过电压综合保护系统,如图3-21所示.

    

   在变压器一次侧接上避雷器,在二次侧加装阻容、硒堆、压敏电阻等非线性电阻元器件进行保护。在整流直流侧采取压敏电阻和泄能保护装置,以防止元器件承受过电压。也可在晶闸管阴阳极两端直接进行保护,晶问管在关断过程中,主电流过零反向后迅速由反向峰值恢复至零电流,此过程可在元器件两端产生达正常工作峰值电压5~6倍的尖峰电压。一般应在尽可能靠近晶闸管处接上阻容吸收回路。电阻R选无感电阻,通常取5~⒛Ω;电容C通常为0.1~1uF,耐压选晶闸管耐压的1,1~1.5倍。具体R、C取值可根据晶闸管型号及工作情况决定,但应保证电阻R的功率,尤其在中频逆变电路中,使之不会因发热而损坏。


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11-23过电压综合保护系统

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