静电电荷也可以以其他非摩擦的方式产生,比如感应带电,离子轰击,接触另一个静电的物体。K4D261638F-TC40然而,摩擦带电是最普遍的。GaN基LED在生产过程中,从原材料的转移,加工处理,切割封装到包装,要经过大量工序和很多工人,接触到带电环境次数很多且复 杂多样,接触到的静电带电和静电放电的机会很多。

   图6-38和图⒍39显示了GaN材料在蓝宝石衬底上生长时产生位错的机制。

   图⒍38 G犭N材料与蓝宝石衬底材料的晶格不匹配产生了应力

图6-38表示的是由于G扒材料与蓝宝石衬底晶格不匹配,结果在生长过程中产生很大的应力;当应力通路晶格常数的改变得到释放时,就会产生位错(dis1ocatiOn),这种由晶格不匹配产生的位错可以在GaN晶体中延伸很长,甚至延伸到表面,形成V形位错,如图⒍39所示。图中未表示出来的就是在生长过程中,某些外延层,如多量子阱(MQW)生长温度过低,原子迁移率过低,也会在局部外延层产生大量的位错。这些位错都容易成为静电放电中的漏电通道。由于静电放电击穿GaN基LED的放电过程很短,很难去监测击穿过程的发生,更难以捕捉击穿的细节和机制,因此只能通过不同击穿电压和击穿电流的击穿效果来对击穿过程做出推断。