图5-41 纳米柱ITo结构LED和其与无纳米柱LED的对比卜/、￡亻曲线Kyoung-Kook⒗m等lsˉR] FM25040A-G报道了在平面ITO膜上用90℃的溶液生长Zno纳米柱,极大地提高了GaN基LED的光提取效率。⒛lnA驱动电流下,Zno纳米柱LED比没有此结构的传统LED发光效率高57%,同时电压没有上升。光增加主要是因为ZnO纳米柱增加了侧壁出光和粗化的表面导致光子在LED表面发生散射而被提取出来。Young-Scok Lcc等阝明报道了一种可控的用热溶液生长Zno纳米柱改变光型的GaN基LED。Zn0纳米柱形状可以用种子层控制成花瓣状、倾斜状和垂直结构状。与平面LED相比,Zno纳米柱LED的电性能没有变差,但是EL光强增强。随着Zno纳米柱倾斜度的增加,LED的出光光型变宽。这归因于ZnO纳米柱有效地充当了光的散射和光导介质。S.H Tu等阝]报道了⒛lnA下纹理化GZo-TCL LED提高亮度30%。Jinn-Kong slleu等人阝刨制备了ITo/GZo复合氧化膜作为透明导电层的GaN基LED,如图5-42所示。表面纹理化的ITo/GZo-TCL LED的电光转换效率(wall~plug cfflcicncy)比Ni/Au-TCL和平面的ITO/GZo-TCL LED分别高⒛0%和绣%。相对N认u~TCL来说,Zno的折射率更高(刀=1.9~2.l)为ITO表面用纹理化的GZo为进一步提高光提取效率提供了可能。并且较厚的TCL电流扩展更好。