MOcVD外延层的质量、生长速率受多种复杂因素影响和制约,其中主要的影响因素为生长温度、HD64F2212UFP24V反应室工作压力、反应气源浓度、V/III比,气体流速和衬底取向等。在MOCVD反应室中发生的、由多个步骤串联而成的化学反应包括气相反应和固相反应,其中在气相进行的反应为均相反应,而在在固相表面进行的为异相反应。在这一系列的不同反应中,薄膜外延生长速率是由最慢一步的速率决定的。生长温度是材料外延生长最重要的参数,我们可以考察生长温度与生长速率的影响,来分析和理解反应过程中生长速率的限制规律。图⒈3是以TMGa和NH3为源生长GaN时,其生长速率与生长温度的关系简图。图中的曲线可分为3个区域:在700℃以下的低温区、700~1050℃的中温区和1050℃以上的高温区。3个温区中生长速率变化规律不同,表现出的化学反应过程对温度依赖关系的变化亦不同。