300K时纤锌矿结构GaN、AlN和InN的基本物理参数团
发布时间:2016/7/31 16:31:08 访问次数:2374
表2-1列出了GaN、AlN和IhN3种氮化物材料在300K时的参数。对二元以上的Ⅲ族氮化物合金,其晶格常数(完全弛豫状态)一般采用Vcgard定律来计算。以InxGaljN为例,在不考虑弯曲系数的前提下,ADV7180BCPZ载流子迁移率是决定LED器件性能的关键因素之一。从表⒉1中看出,Ⅲ族氮化物半导体材料的空穴迁移率比电子迁移率至少低一个数量级。这会导致LED器件中电子和空穴浓度的分布不对称,并严重影响LED器件的效率c此外,Ⅲ族氮化物常用的p型参杂Mg的热电离能很高,导致Mg的激活率很低。
表2-1列出了GaN、AlN和IhN3种氮化物材料在300K时的参数。对二元以上的Ⅲ族氮化物合金,其晶格常数(完全弛豫状态)一般采用Vcgard定律来计算。以InxGaljN为例,在不考虑弯曲系数的前提下,ADV7180BCPZ载流子迁移率是决定LED器件性能的关键因素之一。从表⒉1中看出,Ⅲ族氮化物半导体材料的空穴迁移率比电子迁移率至少低一个数量级。这会导致LED器件中电子和空穴浓度的分布不对称,并严重影响LED器件的效率c此外,Ⅲ族氮化物常用的p型参杂Mg的热电离能很高,导致Mg的激活率很低。
上一篇：纤锌矿结构GaN的晶体结构
上一篇：氮化物材料中的极化电场
相关技术资料- 11-28正确测量
- 7-31300K时纤锌矿结构GaN、AlN和InN的基本物理参数团
- 1-303GPP在2004年底开始针对LTE需求展开讨论
- 12-21高亮度发光二极管
公网安备44030402000607
