在传统透明导电层上引入其他透光或导光的具有纹理化图形的材料,或者直FM24W256-G接用具有纹理化图形的其他透明导电层代替传统的材料。此类型最常见的是直接用纳米结构的ITo作为透明导电层或者用掺Ga氧化锌(Ga~dopping ZnO,GZo)或者掺Al氧化锌(Al刂oppingZnO,AZo)作为透明导电层。

   H.Chh等田]报道了一种新奇且可以量产的ITo纳米柱作为InGaN/GaN LED的全方位透明导电层。在N2环境中用倾斜的电子束蒸镀的纳米柱具有高的光透过性,在450~⒛OIlm范围内穿透率大于⒛%。如图5-41所示为纳米柱ITO结构LED和其与无纳米柱LED的对比曲线,从图中可知具有此纳米柱结构的LED比传统LED封装后在350mA下光功率提高35.1%,电压几乎一致。且纳米柱的厚度加厚,还能进一步提高光提取效率。