基于直接将p面朝上的外延层进行纹理化的损伤、面积损失、不好做电性连接、尺寸FM24CL16B-G和均匀性不好控制等诸多不利因素,人们便想在透明导电层上引入纹理化图形来避免上述不利因素。量产化的GaN基LED的透明导电层一般是ITo,ITO易于用湿法蚀刻,很容易做成纹理化图形。

   方法之一便是用聚苯乙烯(polystyrene,PS)小球作为自然的掩膜对ITO进行湿法或者干法蚀刻,做出纹理化图形,提高光提取效率。如图5-39中便是用PS犭、球作为掩膜刻蚀前的sEM图和用PS小球作为掩膜制备的具有ITo纹理化的LED和平面ITO-LED的远场辐射光型图阝q。从图中可看出,Ps小球的大小很均匀,较为适合作为ITo蚀刻的掩膜材质,并且将ITo做成纹理化后其电致发光(elcctrolumincscent,EL)光强比平面ITo乇ED明显高。