针对第三、第四条不利因素,有研究FM24CL04B-G者u剐提出用两次倾斜沉积ITo的方式解决纳米柱LED之间电性连接问题,用此方式可以不对各个纳米柱之间进行填充,而直接将ITO弯转后连成一体实现统一电位,此方法提供了解决问题的途径,但迄今为止未见任何厂家应用此技术。sameer Chh苟cd等人l。ql用倾斜角度沉积法制备了自组织纳米图形提高光提取效率的InGaN LED。这种方法通过不同角度倾斜沉积的方式提供了一种尺寸、图形密度可控的制备纳米图形的方法。用倾斜沉积的方式沉积5nm的Ag膜,RTA退火后自发的形成纳米岛状。这种方法用于制备⒉C・aN的纳米级纹理化结构,可以增加光的提取效率。10OmA下,纳米纹理化的LED比平面LED的光功率高46%。此方法最大的创新是用不同角度倾斜沉积获得尺寸、图形密度可控的纳米图形。如图5-38是用此方法制备的不同尺寸Ag纳米岛状结构sEM图。即用此方法可以克服上述第四条中不能控制纳米柱尺寸和均匀性的不利因素。