退火工艺主要影响LED芯片的电压,G扒基蓝绿光LED芯片制造涉及的合金工艺主要有两类:一类ITo的退火, MLV-015A另一类金属的退火。不管哪种方式沉积的ITo,都需要进行进一步退火。ITo退火的作用可以概括为:

   ①退火可以使ITo重结晶,从而改变方阻和穿透率;

   ②使ITo与p-⒍Ⅸ之间形成低接触电阻的欧姆接触lgl;

   ③使p-GaN中的掺杂受主(一般是Mg)进一步活化,主要是打断Mg H键,使得Mg掺杂剂离化率更高,提高p-GaN层中的空穴浓度,降低p-GaN的方阻,可以提高发光效率网。

   ITo退火工艺的主要参数有温度、退火时间、气氛。ITo炉管退火的温度一般在4ω~5ω℃之间,温度太高会恶化ITO与p-C】aN的接触,温度太低,不足以形成低接触电阻的欧姆接触,直接结果都是导致器件电压升高。退火时间一般与退火温度以及退火方式搭配。业界中ITo退火的工艺出现过3种方式:炉管、快速退火炉(RTA)、电磁波退火。3种方式各有优劣,炉管加热一般为电热丝,通过气氛传热使得晶片退火,因此退火需要经过预热等过程,时间较长,温度控制也不够精确。一般得到的薄膜接触电阻较高,使得器件电压较RTA稍高,但炉管的价格便宜,控温简单,维护方便,适合大批量生产。快速退火炉通过迅速升温(升温速率可超过50℃/s)和快速降温,精确控温、持温,一般是采用一系列排成阵列的加热灯加热,晶片是平放在托盘(一般是碳化硅盘或者硅盘)上,因此晶片受热迅速。这种退火方式速度快,得到的器件电压较低,并且通过合适的合金条件(温度、时间、升降温速率、气体流量)还能提高LED的光功率,但是其造价较高,维护困难。电磁波退火是在低温下利用微波能量被p-GaN中Mg H键吸收而打断M纩H键,使受主Mg激活率提高,从而提高载流子浓度,达到ITO与p-GaN欧姆接触。