高斯计就是利用霍尔效应来测定磁感应强度B的仪器
发布时间:2016/7/29 22:07:53 访问次数:932
上面讨论的是n型半导体样品产生的霍尔效应,B侧面电位比A侧面高;对于p型半导体样品,BAV99/8由于形成电流的载流子是带正电荷的空穴,与n型半导体的情况相反,A侧面积累正电荷,B侧面积累负电荷,如图⒈刃(b)所示,此时,A侧面电位比B侧面高。由此可知,根据A、B两端电位的高低,就可以判断半导体材料的导电类型是p型还是n型。 由式(1△7c)可知,如果霍尔元件的灵敏度RH己知,测得了控制电流J和产生的霍尔电压‰,则利用高斯计可测定霍尔元件所在处的磁感应强度为B=Z止。
高斯计就是利用霍尔效应来测定磁感应强度B的仪器。它是选定霍尔元件,即ΚH己确定,保持控制电流J不变,则霍尔电压‰与被测磁感应强度B成正比。如按照霍尔电压的大小,预先在仪器面板上标定出高斯刻度,则使用时由指针的值就可直接读出磁感应强度B值。
因此,将待测厚度为歹的半导体样品放在均匀磁场中,通以控制电流r,测出霍尔电压‰,再用高斯计测出磁感应强度B值,就可测定样品的霍尔系数RH。又因RH=诜/或龛),故可以通过测定霍尔系数来确定半导体材料的载流子浓度洵(或`)(刀和`分别为电子浓
度和空穴浓度)。严格地说,在半导体中载流子的漂移运动速度并不完全相同,考虑到载流子速度的统计分布,并认为多数载流子的浓度与迁移率之积远大于少数载流子的浓度与迁移率之积,因此半导体霍尔系数的公式中还应引入一个霍尔因子气.
上面讨论的是n型半导体样品产生的霍尔效应,B侧面电位比A侧面高;对于p型半导体样品,BAV99/8由于形成电流的载流子是带正电荷的空穴,与n型半导体的情况相反,A侧面积累正电荷,B侧面积累负电荷,如图⒈刃(b)所示,此时,A侧面电位比B侧面高。由此可知,根据A、B两端电位的高低,就可以判断半导体材料的导电类型是p型还是n型。 由式(1△7c)可知,如果霍尔元件的灵敏度RH己知,测得了控制电流J和产生的霍尔电压‰,则利用高斯计可测定霍尔元件所在处的磁感应强度为B=Z止。
高斯计就是利用霍尔效应来测定磁感应强度B的仪器。它是选定霍尔元件,即ΚH己确定,保持控制电流J不变,则霍尔电压‰与被测磁感应强度B成正比。如按照霍尔电压的大小,预先在仪器面板上标定出高斯刻度,则使用时由指针的值就可直接读出磁感应强度B值。
因此,将待测厚度为歹的半导体样品放在均匀磁场中,通以控制电流r,测出霍尔电压‰,再用高斯计测出磁感应强度B值,就可测定样品的霍尔系数RH。又因RH=诜/或龛),故可以通过测定霍尔系数来确定半导体材料的载流子浓度洵(或`)(刀和`分别为电子浓
度和空穴浓度)。严格地说,在半导体中载流子的漂移运动速度并不完全相同,考虑到载流子速度的统计分布,并认为多数载流子的浓度与迁移率之积远大于少数载流子的浓度与迁移率之积,因此半导体霍尔系数的公式中还应引入一个霍尔因子气.
相关技术资料- 7-29高斯计就是利用霍尔效应来测定磁感应强度B的仪器
公网安备44030402000607
